微波等离子去胶机百科
文章导读：微波等离子去胶机是一种在电子与通信技术等领域广泛应用的工艺试验仪器，主要用于去除光刻胶等有机物。以下是其相关介绍：
微波等离子去胶机是一种在电子与通信技术等领域广泛应用的工艺试验仪器，主要用于去除光刻胶等有机物。以下是其相关介绍：
工作原理
通常在真空环境下，利用微波发生器产生高频微波（一般频率为 2.45GHz），使通入的反应气体（如氧气、CF4 等）发生电离，产生具有强氧化性的等离子体。这些等离子体中的活性粒子与光刻胶等有机物发生化学反应，将其分解为二氧化碳、水等易挥发的物质，然后通过真空系统抽走，从而达到去胶的目的。
结构组成
主要包括微波发生器，用于产生微波能量；真空腔体，提供真空环境，保证等离子体稳定产生和反应进行；气路系统，控制反应气体的种类和流量；样品台，放置待处理的晶圆或其他样品，部分设备的样品台可旋转或移动，以保证去胶均匀性；控制系统，实现对功率、压力、时间、温度等参数的精确控制，通常还具备智能控制功能，可通过软件批量控制工艺处理数据。
技术参数
不同型号的微波等离子去胶机技术参数有所差异。一般真空压力在 1-100 帕斯卡左右，微波发生器功率在 100-1000W 不等，可处理 2-8 英寸的晶圆片和方片，去胶均匀性可达 1.0% 左右，加热温度在 20-250℃可调，冷却温度在 20-0℃，最大批处理能力可达 25 片 6 寸样品等。
产品特点
高效去胶：微波产生的高密度等离子体使活性粒子数量多，去胶速率快，例如部分设备去胶速率可达 0.2-0.4μm/min，能大幅提高生产效率。
无损伤：采用化学性刻蚀的工作方式，相比物理轰击方式，对衬底的损伤较低，尤其适用于对损伤敏感的材料和工艺。
均匀性好：通过合理设计腔体结构、气体分布和样品台运动方式等，可实现较好的去胶均匀性，如通过旋转样品台，进一步提高去胶的均匀性。
环保安全：无需使用有害化学溶剂，避免了化学清洗产生的废液污染，是一种绿色清洁的去胶技术。同时，微波波段无紫外排放，操作更安全。
适用性强：可以处理多种类型的光刻胶，包括正性及负性光刻胶、SU-8 负性光刻胶、聚酰亚胺光刻胶（PI）等，还可用于有机物去除、基片表面等离子改性等多种工艺。
应用领域：
半导体制造：在芯片制造过程中，用于光刻工艺后晶圆表面光刻胶的去除，为后续的刻蚀、离子注入等工艺做好准备，确保工艺的准确性和芯片的性能。
MEMS 制造：例如 MEMS 压力传感器加工工艺中，可对光刻胶进行批量处理，去除光刻胶以形成特定的微结构。
平板显示生产：用于平板显示生产中的等离子体预处理，如在玻璃基板上进行光刻胶去除和表面改性，提高后续薄膜沉积、封装等工艺的质量。
太阳能电池生产：可用于太阳能电池生产中的边缘绝缘和制绒工艺，去除光刻胶并对硅片表面进行处理，以提高电池的转换效率和性能。
先进晶片（芯片）封装：对封装过程中的衬底进行清洁和预处理，去除光刻胶和有机物杂质，提高衬底表面的洁净度和附着力，有利于后续的键合、封装等工艺。
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通常在真空环境下，利用微波发生器产生高频微波（一般频率为 2.45GHz），使通入的反应气体（如氧气、CF4 等）发生电离，产生具有强氧化性的等离子体。这些等离子体中的活性粒子与光刻胶等有机物发生化学反应，将其分解为二氧化碳、水等易挥发的物质，然后通过真空系统抽走，从而达到去胶的目的。
结构组成
主要包括微波发生器，用于产生微波能量；真空腔体，提供真空环境，保证等离子体稳定产生和反应进行；气路系统，控制反应气体的种类和流量；样品台，放置待处理的晶圆或其他样品，部分设备的样品台可旋转或移动，以保证去胶均匀性；控制系统，实现对功率、压力、时间、温度等参数的精确控制，通常还具备智能控制功能，可通过软件批量控制工艺处理数据。
技术参数
不同型号的微波等离子去胶机技术参数有所差异。一般真空压力在 1-100 帕斯卡左右，微波发生器功率在 100-1000W 不等，可处理 2-8 英寸的晶圆片和方片，去胶均匀性可达 1.0% 左右，加热温度在 20-250℃可调，冷却温度在 20-0℃，最大批处理能力可达 25 片 6 寸样品等。
高效去胶：微波产生的高密度等离子体使活性粒子数量多，去胶速率快，例如部分设备去胶速率可达 0.2-0.4μm/min，能大幅提高生产效率。
无损伤：采用化学性刻蚀的工作方式，相比物理轰击方式，对衬底的损伤较低，尤其适用于对损伤敏感的材料和工艺。
均匀性好：通过合理设计腔体结构、气体分布和样品台运动方式等，可实现较好的去胶均匀性，如通过旋转样品台，进一步提高去胶的均匀性。
环保安全：无需使用有害化学溶剂，避免了化学清洗产生的废液污染，是一种绿色清洁的去胶技术。同时，微波波段无紫外排放，操作更安全。
适用性强：可以处理多种类型的光刻胶，包括正性及负性光刻胶、SU-8 负性光刻胶、聚酰亚胺光刻胶（PI）等，还可用于有机物去除、基片表面等离子改性等多种工艺。
应用领域：
半导体制造：在芯片制造过程中，用于光刻工艺后晶圆表面光刻胶的去除，为后续的刻蚀、离子注入等工艺做好准备，确保工艺的准确性和芯片的性能。
MEMS 制造：例如 MEMS 压力传感器加工工艺中，可对光刻胶进行批量处理，去除光刻胶以形成特定的微结构。
平板显示生产：用于平板显示生产中的等离子体预处理，如在玻璃基板上进行光刻胶去除和表面改性，提高后续薄膜沉积、封装等工艺的质量。
太阳能电池生产：可用于太阳能电池生产中的边缘绝缘和制绒工艺，去除光刻胶并对硅片表面进行处理，以提高电池的转换效率和性能。
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