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返回列表 来源:半导体行业观察 浏览: 发布日期:2021-09-22 13:06【
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      过去几十年,芯片沿着摩尔定律不断微缩,芯片的尺寸越来越小,性能越来越高。正因如此,以前如庞然大物的电脑才能变成午夜精品A片一二三区蜜臀掌上的轻薄本,还有手机、电视、智能手表等等,这些给午夜精品A片一二三区蜜臀的生活带来了无限的便利。但现在,午夜精品A片一二三区蜜臀遇到了阻碍,晶体管小型化速度正在放缓,摩尔定律逼近极限。芯片制造商无法通过传统的方法用更经济的成本来制造更微小的电路。

      于是各种后摩尔时代的技术开始被探索,MOSFET晶体管从二维进入3D FinFET,进入GAA;3D封装、SiP封装等先进封装技术也成为企业加速布局的技术,Chiplet被派上用场,国际大厂纷纷加入这个行列;诸如碳纳米管等新型半导体材料也在加速攻坚;存算一体新器件开始逐步替代传统的MOS器件;甚至要超越晶体管进入量子计算;等等。整个半导体业界无不为芯片的下一步发展找寻新思路。现在有一种全新的、更划算的技术或许能为芯片制造的微缩打开另一扇大门,那就是定向自组装技术(DSA),它可以算是光刻技术的一种互补技术。
 
      在2021年SPIE先进光刻大会上,全球领先的纳米电子和数字技术研究和创新中心imec首次展示了定向自组装(DSA)到间距小至18nm的模式线/空间的能力,一种优化的干蚀刻化学方法成功地将图案转移到底层的厚SiN层中,这将使进一步的缺陷检测成为可能。这些结果证实了定向自组装技术(DSA)有潜力补充用于亚 2nm技术节点工业制造的传统自上而下图案化。

      现在芯片通常通过光刻法制造。简言之,电路的每一个微小特征都被投射在硅片上,在此过程中,会在硅片上涂覆被称为光致抗蚀剂的光敏材料。之后,硅晶片将被置于不同图案之下,这些图案由光线穿透被称为掩模的滤光片形成。光线每照射到一处,光刻胶便会固化,其余部分则会被冲洗掉。在下一步骤中,会对晶圆进行化学蚀刻,由此在表面的裸露部分形成功能结构。光刻技术的进步一直是推动后续半导体节点前进的关键。随着芯片进入10nm以下,极紫外(EUV)技术必不可少,光刻变得过于复杂且成本高昂,一台EUV光刻机的成本超过了1亿美元。相对的,芯片的成本也随之水涨船高。
 
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