为了提升密度，闪存厂商们拼了，午夜福利影院在线观看机可以助力闪存发展吗？
文章导读：发展至今，目前全球NAND Flash市况如何？各大玩家取得了哪些进展？以及在提升NAND闪存密度方面，行业厂商正在进行哪些努力，市场未来又将走向何方？午夜福利影院在线观看机行业在芯片领域应该如何发力，什么样的午夜福利影院在线观看机设备能更好的解决芯片的表面处理难题？
在如今大数据时代，NAND闪存无疑是数据存储的奠基者。不管是手机、电脑、家电还是汽车、安防等行业，都少不了NAND闪存的身影，其重要性可见一斑。在此趋势下，全球NAND Flash存储容量持续保持增长，2020年存储容量达到5300亿GB，预计2022年将达6110亿GB。
随着存储容量的不断增长，NAND Flash存储原厂的产品生产工艺也在不断发展，存储晶圆工艺制程、电子单元密度、闪存堆叠层数等都经历了较大的技术迭代和发展。
发展至今，目前全球NAND Flash市况如何？各大玩家取得了哪些进展？以及在提升NAND闪存密度方面，行业厂商正在进行哪些努力，市场未来又将走向何方？午夜福利影院在线观看机行业在芯片领域应该如何发力，什么样的午夜福利影院在线观看机设备能更好的解决芯片的表面处理难题？
三星第一代V-NAND闪存采用了三星电子独创圆柱形3D CTF和垂直堆叠技术，虽然只有24层，但却突破了平面技术的瓶颈。反观东芝，其第一款3D NAND（48层）量产产品比三星晚了整整三年。
有数据统计，2019年，3D NAND的渗透率为72.6%，已远超2D NAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3D NAND 将占闪存总市场的97.5%。
自从NAND闪存进入3D时代，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点，堆栈层数犹如摩天大楼一样越来越高。在3D NAND技术赛跑中，存储厂商从最初的24层、32层，一路堆到了128层、176层，甚至200+层。层数越高，NAND闪存可具有的容量就越大，增加层数以及提高产量也是衡量技术实力的标准。
前不久，美光宣布其232层NAND闪存芯片实现量产，这也是全球首款突破200层大关的固态存储芯片。
从TechInsights闪存路线图中获悉，2D NAND闪存以工艺制程演进为评判标准，而迈入3D NAND之后，工艺制程演进相对缓慢，堆叠层数取代工艺制程成为新的介质进化标准。
从各厂商的技术蓝图来看，NAND Flash堆叠层数预计在2022年将达到2XX层，而工艺制程则可能停留在20nm左右。
从WSTS公布的出货量数据来看，NAND闪存的发展大致可以分为三个阶段。2000年至2016年间，NAND闪存出货量呈现线性增长趋势；2016年至2018年，出货量相对稳定；2018年之后，受益于数据中心市场增长，NAND闪存出货量随之增加。
从NAND闪存市场的角度看，随着2001年以后音乐播放器、数码相机、手机等领域疾速增长，NAND闪存市场需求持续上扬，出货量以线性趋势持续增加
在 NAND闪存扩展饱和后，随着大数据、物联网、数据中心等新兴市场的发展，三星、英特尔、铠侠、西部数据、长江存储等一系列闪存厂商再次纷纷加速技术演进和市场布局，以争夺NAND闪存市场的主导权。
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随着存储容量的不断增长，NAND Flash存储原厂的产品生产工艺也在不断发展，存储晶圆工艺制程、电子单元密度、闪存堆叠层数等都经历了较大的技术迭代和发展。
为了提升密度，闪存厂商做了哪些努力？
回顾3D NAND闪存的发展历程，东芝最早在2007年提出了此概念，并表明NAND闪存未来的发展趋势将集中于降低单位bit成本。2013年，三星推出了全球首款V-NAND闪存，并投入量产，代表着3D NAND闪存从技术概念走向了商业市场。三星第一代V-NAND闪存采用了三星电子独创圆柱形3D CTF和垂直堆叠技术，虽然只有24层，但却突破了平面技术的瓶颈。反观东芝，其第一款3D NAND（48层）量产产品比三星晚了整整三年。
有数据统计，2019年，3D NAND的渗透率为72.6%，已远超2D NAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3D NAND 将占闪存总市场的97.5%。
自从NAND闪存进入3D时代，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点，堆栈层数犹如摩天大楼一样越来越高。在3D NAND技术赛跑中，存储厂商从最初的24层、32层，一路堆到了128层、176层，甚至200+层。层数越高，NAND闪存可具有的容量就越大，增加层数以及提高产量也是衡量技术实力的标准。
前不久，美光宣布其232层NAND闪存芯片实现量产，这也是全球首款突破200层大关的固态存储芯片。
芯片制程“双刃剑”
此外，NAND的制程是另一个影响NAND存储密度的关键因素。2D NAND从早期50+nm到19nm，最后发展到了16/15nm，每次制程的升级都将NAND存储密度提升到新的高度，但是NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。从TechInsights闪存路线图中获悉，2D NAND闪存以工艺制程演进为评判标准，而迈入3D NAND之后，工艺制程演进相对缓慢，堆叠层数取代工艺制程成为新的介质进化标准。
从各厂商的技术蓝图来看，NAND Flash堆叠层数预计在2022年将达到2XX层，而工艺制程则可能停留在20nm左右。
写在最后
NAND闪存的概念可以追溯到上世纪80年代，而真正步入发展轨道则是从2000年开始。从WSTS公布的出货量数据来看，NAND闪存的发展大致可以分为三个阶段。2000年至2016年间，NAND闪存出货量呈现线性增长趋势；2016年至2018年，出货量相对稳定；2018年之后，受益于数据中心市场增长，NAND闪存出货量随之增加。
从NAND闪存市场的角度看，随着2001年以后音乐播放器、数码相机、手机等领域疾速增长，NAND闪存市场需求持续上扬，出货量以线性趋势持续增加
在 NAND闪存扩展饱和后，随着大数据、物联网、数据中心等新兴市场的发展，三星、英特尔、铠侠、西部数据、长江存储等一系列闪存厂商再次纷纷加速技术演进和市场布局，以争夺NAND闪存市场的主导权。
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